1500V 高壓 MOS 分立器件 ◆導通電阻低; ◆開關速度快; ◆雪崩耐量高; 了解更多
RC (逆導) IGBT 分立器件 ◆IGBT/FWD集于同一芯片; ◆通態壓降低; ◆可靠性高; ◆成本低; 了解更多
M3i-低飽和壓降型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術; ◆軟開通特性,開通 di/dt 小,EMI 低; ◆低飽和壓降,導通損耗??; ◆關斷拖尾電流小,軟關斷特性; ◆正溫度系數,適合并聯; ◆高的短路電流能力(6us以上); ◆開關速度快,開關損耗??; ◆TVj max 達175℃; 了解更多
GTU-快速型 IGBT 分立器件 ◆采用Trench+Fieldstop技術; ◆軟開通特性,開通 di/dt 小,EMI 低; ◆關速度快,關損耗小 ◆關斷拖尾電流小,軟關斷特性; ◆正溫度系數,適合并聯; ◆高的短路電流能力(6us以上); ◆開關速度快,開關損耗??; ◆TVj max 達175℃; 了解更多
應用方案
應用筆記
行業信息
常州市市長陳金虎一行調研宏微科技 2021年1月4日上午,常州市委副書記、市長陳金虎調研了新北區重點… 2021-01-04 了解更多
常州市政協主席白云萍一行蒞臨宏微… 11月24日下午,常州市政協主席白云萍一行蒞臨我司調研指導,考察… 2020-11-30 了解更多
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